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HAL250SO全极纳安级低功耗霍尔开关 位置检测霍尔元件

HAL250SO纳安级霍尔开关是采⽤BCD⼯艺制作的双极低功耗霍尔IC,BCD⼯艺把双极⼯艺和CMOS⼯艺,DMOS⼯艺同时制作在同⼀芯⽚上。HAL250低功耗...


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产品详情

HAL250SO纳安级霍尔开关是采⽤BCD⼯艺制作的双极低功耗霍尔IC,BCD⼯艺把双极⼯艺和CMOS⼯艺,DMOS⼯艺同时制作在同⼀芯⽚上。HAL250低功耗霍尔开关综合了双极器件高耐压、强负载的驱动能⼒和CMOS集成度⾼、低功耗的优点,使其互相取⻓补短,发挥各⾃的优点,它有着超低的功耗及⾼静电参数。HAL250零功耗霍尔开关抗静电ESD高达8000V,这⼀种⾼灵敏度、宽温度范围(-40~150度)的微功耗双极低功耗霍尔IC,具有内部上拉和下拉功能。

HAL250零功耗霍尔开关输出信号在磁场强度⾜够的南极或北极被激活。当垂直于HAL250零功耗霍尔开关封装的磁场强度(b)⼤于操作点(bop)时, 输出将打开(拉低)并保持在低电平,直到磁场强度低于释放点(brp)才由低电压转向⾼电平。

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